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基于0.5μm标准CMOS工艺的新型Λ负阻器件
  • ISSN号：0023-074X
  • 期刊名称：科学通报
  • 时间：2011.11.1
  • 页码：3054-3056
  • 分类：TN929.11[电子电信—通信与信息系统;电子电信—信息与通信工程]
  • 作者机构：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目（61036002）
  • 相关项目：用于光互连的硅基CMOS光子集成基础科学问题研究
作者： 陈燕,毛陆虹,郭维廉,于欣,张世林,谢生|
关键词： ∧型负阻器件, CMOS, P, 型基区层, 电流峰谷比, 低功耗
中文摘要：

介绍了一种新型的I-V特性为Λ型的负阻器件（negative resistance device,NRT）,该器件使用上华0.5μm标准互补金属氧化物半导体（complementary metal-oxide-semiconductor transistor,CMOS）工艺制造.为节省器件数目,此类负阻器件并不调用上华工艺库中现有的标准元件模型,而是将一个金属氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET）和一个双极晶体管（bipolar junction transistor,BJT）制作在相同的n阱中,利用p型基区层作为MOSFET的衬底,从而将两个器件合二为一.NRT拥有较低的谷值电流-6.8217nA和较高的电流峰谷比（peak-to-valley current ratio,PVCR）为3591.器件的峰值电流较小,为-24.4986μA,意味着较低的功耗.该负阻器件的平均负阻阻值为32kΩ.不同于近年来的大多数负阻器件,本器件制作于硅材料衬底上而非化合物材料衬底.因而能够与主流CMOS工艺兼容.新型NRT功耗较低,同时能够极大地节省器件数目,减小芯片占用面积,极大地降低了成本费用.

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期刊信息
  • 《科学通报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院
  • 主编：周光召
  • 地址：北京东黄城根北街16号
  • 邮编：100717
  • 邮箱：csb@scichina.org
  • 电话：010-64036120 64012686
  • 国际标准刊号：ISSN：0023-074X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1784/N
  • 邮发代号:80-213
  • 获奖情况:
  • 首届国家期刊奖,中国期刊方阵“双高”期刊,第三届中国出版政府奖
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:81792