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Floating-Body Kink-Effect Related Parasitic Bipolar Transistor Behavior in Poly-Si TFT
  • ISSN号：0741-3106
  • 期刊名称：IEEE Electron Device Letters
  • 时间：2012.5.18
  • 页码：842-844
  • 相关项目：用于亚40纳米先进金氧半绝缘体上硅技术的精简模型研究
作者： 郭正邦|
关于郭正邦：

用于亚40纳米先进金氧半绝缘体上硅技术的精简模型研究
期刊论文 10 会议论文 9
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