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银掺杂ZnO薄膜光电功能材料的研究进展
  • 期刊名称:材料导报
  • 时间:0
  • 页码:132-135
  • 分类:TN204[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]长安大学材料科学与工程学院,西安710064
  • 相关基金:国家自然科学基金(20903016)
  • 相关项目:多孔集流体/锡基合金/碳纳米管一体化电极的电化学制备及性能研究
中文摘要:

近年来人们发现利用银掺杂方案能制备出导电性良好的P型ZnO薄膜,并能增强ZnO的紫外发光强度,还可以形成各种纳米微结构从而产生一些新的特性。这很可能为ZnO基光电器件的应用提供新思路。综述了几年来国内外在银掺杂ZnO薄膜的电学性质、光学性质和结构方面的研究进展,并探讨了目’前存在的问题及今后研究的方向。

英文摘要:

Ag-doped ZnO (ZnO : Ag) film is a novel optoelectronic material which attracts much attention very recently. ZnO : Ag films have good p-type conductive characteristics and strong UV light emissions. ZnO : Ag nano- structure films also show various special properties. These characteristics imply ZnO : Ag may help the studies in ap- plications of ZnO based optoelectronic devices. The recent progresses in electrical, optical and structural properties of ZnO : Ag films are reviewed,and research efforts in the future are also prospected.

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