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真空热蒸发镀CIAS薄膜
  • ISSN号：1001-9731
  • 期刊名称：功能材料
  • 时间：2015.4.30
  • 页码：8086-8089
  • 分类：TM615[电气工程—电力系统及自动化]
  • 作者机构：[1]辽宁科技大学材料与冶金学院,辽宁鞍山114051
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目（51372109,51172101）;辽宁省优秀人才资助项目（LR2012009）
  • 相关项目：磁控溅射等离子体行为对TCO薄膜结构性能影响机理
作者： 任海芳|周艳文|肖旋|郑欣|
关键词： CIAS薄膜, 真空蒸发, 硒化退火
中文摘要：

采用真空热蒸发方法在普通玻璃基底上制备CuIn0.7Al0.3Se2（CIAS）薄膜,并对之进行450 ℃真空硒化退火处理.结果表明,制备的CIAS薄膜具有黄铜矿结构并且以（112）晶面优先生长.真空硒化退火后,薄膜晶体结构更完整,晶粒长大,成分分布均匀,更接近CIAS晶体的化学计量比. 薄膜为P 型半导体,退火后的薄膜禁带宽度减小至1.38eV,带电粒子数下降至2.41E＋17cm^-3,带电粒子迁移率增加至5.29cm2/（N·s）,电阻率升高至4.9Ω·cm.

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期刊信息
  • 《功能材料》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:重庆材料研究院
  • 主办单位:重庆材料研究院
  • 主编：黄伯云
  • 地址：重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
  • 邮编：400707
  • 邮箱：gnclwb@126.com
  • 电话：023-68264739
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-9731
  • 国内统一刊号：ISSN：50-1099/TH
  • 邮发代号:78-6
  • 获奖情况:
  • 2008、2011年连续获中国精品科技期刊,2010获重庆市双十佳期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:30166