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Characteristics and mechanism of Al1.3Sb3Te etched by Cl2/BCl3 inductively coupled plasmas
  • ISSN号：0167-9317
  • 期刊名称：Microelectronic Engineering
  • 时间：2014.3.1
  • 页码：51-54
  • 相关项目：基于同步辐射XAFS方法对相变存储材料Al-Sb-Te薄膜相变机理的研究
作者： Xiaohui Guo|Weijun Yin|Liangcai Wu|Bo Liu|
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