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中文摘要：
采用磁控溅射设备，当衬底温度为500℃时，在Si（100）基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品。使用Raman，AFM和低角X射线技术对样品进行检测和研究，结果表明通过控制Ge埋层的厚度，可以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸，获得晶粒平均尺寸和空间分布较均匀的多晶Ge/Si多层膜。
英文摘要：
A series of germanium films and Ge/Si multilayer structures were fabricated by magnetron sputtering technique on silicon（100） substrates at temperatures of about 500℃.The Ge/Si multilayer structures were characterized by Raman spectroscopy,atomic force microscopy（AFM） and low angle X-ray diffraction.The results showed that the size and spatially ordering distribution of the Ge grain can be modulated by the thickness of the Ge buried layers.
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