位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
基于IEEE802.11a标准的SiGeHB TLNA的设计
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:《半导体技术》
  • 时间:0
  • 分类:TN722.25[电子电信—电路与系统]
  • 作者机构:[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100022
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(60776051,60376033):北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB).00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京工业大学青年科研基金(97002013200701);北京市自然科学基金项目(4082007)
中文摘要:

基于IEEE802.11a标准描述了一款SiGeHBT低噪声放大器(LNA)的设计。为适应该标准的要求,给出了噪声、功率增益及稳定性的优化方法。选用SiGeHBTs作为有源元件,采用T型输入、输出匹配网络设计了电路,并用安捷伦ADS-2006A软件对噪声系数、增益等各项指标进行了仿真。最终在频率为5.2GHz下,LNA噪声系数F为1.5dB,增益S21达到12.6dB,输入、输出反射系数S11和S22较好,在工作频带内小于-10dB,LNA性能良好。

英文摘要:

Based on the criteria of IEEE 802.11a, a novel design of SiGe HBT LNA (low noise amplifier) was presented. In order to meet the standard of the criteria, the methods for optimizing noise, power gain and stability were given. In the circuit design, the SiGe HBTs were chosen as active devices, T- type impedance match network was used for input and output. All parameters were simulated with ADS- 2006A. The noise figure F is 1.5 dB, power gain is 12.6 dB at 5.2 GHz, and S11 and S22 are good, reaching- 10 dB in the operation frequency. The LNA shows a good performance.

同期刊论文项目
期刊论文 57 会议论文 27 获奖 4 专利 3
同项目期刊论文
期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
  • 邮箱:informax@heinfo.net
  • 电话:0311-87091339
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070