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Total ionizing radiation effects of 2-T SONOS for 130 nm/4 Mb NOR flash memory technology
  • ISSN号：1674-733X
  • 期刊名称：Science China Information Sciences
  • 时间：2014.6
  • 页码：062402-
  • 相关项目：快闪存储器的抗辐照电路系统设计技术研究
作者： Qiao FengYing|Pan LiYang|Yu Xiao|Ma HaoZhi|Wu Dong|Xu Jun|
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