中文摘要：

利用向环金属配体的C—Ir键的对位进行苯基取代这一结构修饰策略,成功合成了两种新型铱（Ⅲ）配合物（3PhNbt）_2Ir（acac）和（3OMePhNbt）_2Ir（acac）.相较其橙光发射的母体化合物（Nbt）_2Ir（acac）,两个目标化合物的抗结晶性、非晶态热稳定性及溶解性均有显著提高,其磷光发射带也发生了5~10 nm的红移.以（3PhNbt）_2Ir（acac）和（3OMePhNbt）_2Ir（acac）为发光客体材料所制备的单层溶液加工电致红光器件,其最大发光亮度分别为1830 cd·m~（-2）和6630 cd·m~（-2）,最大电流效率分别为2.4 cd·A~（-1）和8.7 cd·A~（-1）,CIE1931色坐标分别为（0.61,0.39）和（0.62,0.38）.相比之下,以母体化合物（Nbt）_2Ir（acac）为发光客体材料所制备的参比器件,其最大发光亮度则为1620 cd·m~（-2）,最大电流效率仅为1.5 cd·A~（-1）,CIE1931色坐标为（0.59,0.41）.上述研究结果表明：向C—Ir键对位进行苯基修饰可以在提高铱（Ⅲ）配合物的可溶液加工性能的同时,获得更为红移的电致发光波长,是一种简单而有效的红光铱（Ⅲ）配合物的分子设计策略.

英文摘要：

The exploitation of high-performance solution-processable phosphorescence organic light-emitting diode （PhOLED） materials is of great significance for the realization of large-area, low-cost and flexible display. On the basis of our previous findings that the para-phenylation （phenyl or 4-methoxyphenyl, with respect to the C--Ir bond） on the cyclomet- alated ligand （CAN ligand） of bis[2-phenylbenzothiazolato-N, C2]iridium（Ⅲ）（acetylacetonate） can result in compounds with drastically enhanced film amorphism hence much improved electroluminescence （EL） performance, herein, this para- phenylation strategy was applied to Ir（III） complexes bearing a molecular platform of orange-emissive bis[2-（6-diphenyamin）phenybenzthiazat-NC2＇]iridium（）（acetyacetnate） [（Nbt）2Ir（acac）] to afford two new Ir（Ⅲ） complexes, namely （3PhNbt）zlr（acac） and （3OMePhNbt）2Ir（acac）. X-ray diffraction （XRD） characterization results revealed that both the two objective compounds possess much enhanced film amorphism than their parent compound （Nbt）2Ir（acac）, validating the efficacy of this para-phenylation strategy in achieving Ir（III） complexes with enhanced film amorphism. Addi- tionally, in comparison with （Nbt）2Ir（acac）, both （3PhNbt）zlr（acac） and （3OMePhNbt）2Ir（acac） show much enhanced solubil- ity in common organic solvents, together with 5 10 nm bathochromic-shifled phosphorescence band to red region. As a consequence, （3PhNbt）21r（acac） and （3OMePhNbt）zlr（acac） were expected to be promising guest materials for the fabrication of high-performance solution-processed red PhOLEDs. EL characterization results indicated that for single-layer red solu- tion-processed PhOLEDs using （3PhNbt）2Ir（acac） and （3OMePhNbt）2Ir（acac） as the guest dopant, they show peak current efficiency of 2.4 cd-A- and 8.7 cd.A-, maximum brightness of 1830 cdm-2 and 6630 cdm-2, and CIE coordinates of （0.61, 0.39） and （0.62, 0.