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高导热Si3N4陶瓷基片材料的制备研究
  • ISSN号：1002-8935
  • 期刊名称：《真空电子技术》
  • 时间：0
  • 分类：TQ174.1[化学工程—陶瓷工业;化学工程—硅酸盐工业]
  • 作者机构：中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室, 南京工业大学材料科学与工程学院
  • 相关基金：国家自然科学基金(51572277);高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室的资助
作者： 张景贤, 段于森, 江东亮, 陈忠明, 刘学建, 黄政仁, 杨建, 李晓云, 丘泰
关键词： 氮化硅基片, 流延成型, 硅粉氮化, 气压烧结
中文摘要：

采用高纯Si粉作为起始原料,通过流延成型、氮化和气压烧结工艺制备高导热氮化硅陶瓷基片。通过优化分散剂、粘结剂和塑性剂的含量以及流延工艺过程,制备出厚度可控的Si膜。进一步氮化得到微结构均匀的氮化硅素坯。通过气压烧结制备出氮化硅陶瓷基片,热导率达到76 W/m·K。

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期刊论文 1
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期刊信息
  • 《真空电子技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:北京真空电子技术研究所
  • 主编：廖复疆
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  • 国际标准刊号：ISSN：1002-8935
  • 国内统一刊号：ISSN：11-2485/TN
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