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碲铟汞晶体的生长研究
  • 期刊名称:人工晶体学报, 2007, 36 (2): 253-255
  • 时间:0
  • 分类:O78[理学—晶体学]
  • 作者机构:[1]西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072
  • 相关基金:国家自然科学基金(No.50336040);西北工业大学博士创新基金(CX200606);西北工业大学研究生种子基金(No.200612)资助项目
  • 相关项目:化合物半导体晶体生长与缺陷控制的热物理问题
中文摘要:

以高纯Hg、In、Te单质为原料,在摇摆合料炉中成功地合成了HgInTe多晶原料,并且利用该多晶原料,在特殊设计的坩埚中,成功地生长了HgInTe单晶体。X射线衍射分析证明,所生长的HgInTe晶体为缺陷闪锌矿结构,晶格常数α=0.6293nm,是一种高质量的完整单晶体。

英文摘要:

A single-phase HgInTe polycrystal has been synthesized directly from the high purity elements of Hg, In and Te in a rocking furnace. With the polycrystal materials, HgInTe single crystal has been successfully grown by vertical Bridgman method (VB). The results of X-ray diffraction analysis confirm that the as-grown crystal is single-phase of zinc-blende structure with lattice constant of α = 0. 6293nm and has good quality.

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