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Effects of overgrown p-layer on the emission characteristics of the InGaN/GaN quantum wells in a hig
  • ISSN号:1094-4087
  • 期刊名称:Optics Express
  • 时间:2012.5.5
  • 页码:11321-11335
  • 相关项目:InGaN调制量子阱结构和性质
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