位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
γ-LiAlO2上a面ZnO薄膜的光谱特性研究
  • ISSN号：1000-3290
  • 期刊名称：《物理学报》
  • 时间：0
  • 分类：O484.1[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800, [2]中国科学院研究生院,北京100049, [3]南京大学物理系,南京210093
  • 相关基金：基金项目：国家自然科学基金（批准号：60676004）、上海市科技项目（批准号：06dz11402）和国家高技术研究发展计划（863）（批准号：2006AA03A101,2006AA03A103）资助的课题.
作者： 周健华[1,2], 周圣明[1], 黄涛华[1,2], 林辉[1,2], 李抒智[1], 邹军[1,2], 王军[1], 韩平[3], 张荣[3]
关键词： 非极性ZnO, γ-LiAlO2, PLD, nonpolar ZnO, γ-LiAlO2, PLD
中文摘要：

利用激光脉冲沉积（PLD）技术在（302）γ-LiAlO2衬底上成功生长了非极性的a面（1120）ZnO薄膜，光致发光谱（PL）带边发射峰半峰宽仅为115meV,研究了非极性ZnO薄膜光谱特性的面内各向异性，发现随着入射光偏振方向改变，在偏振透射光谱上，吸收边移动了20meV，这与A、B激子和C激子的能量差一致；而在拉曼光谱上，激发光偏振方向的改变导致E2模式的强度发生明显改变。

英文摘要：

Nonpolar a-plane ZnO film was successfully grown on （302）γ-LiAlO2 substrate by pulsed laser deposition. The temperature of substrate was 500℃, the film was pure nonpolar a-plane ZnO. The FWHM of the peak of near band emission in the PL spectrum was found to be only 115 meV. Both polarized transmission spectra and polarized Raman spectra revealed the in-plane anisotropy of the nonpolar ZnO film by the shift of absorption edge and the change of intensity of Raman E2 mode.

同期刊论文项目
　LiAlO2上非极性面GaN基LED材料生长与器件制备
期刊论文 36
　Φ2英寸LiAlO2晶体及衬底制备技术
期刊论文 3
γ-LiAlO2晶片上非极性宽禁带半导体薄膜制备及其光电特性研究
期刊论文 17 会议论文 1 专利 6
同项目期刊论文
Growth, etching morphology and spectra of LiAlO2 crystal
高质量LiGaO_2晶体的提拉法生长及表征
LiGaO_2衬底上ZnO外延膜的结构与光学特性
γ-LiAlO_2上a面ZnO薄膜的光谱特性研究
Growth and characterization of ZnO films on (001), (100) and (010) LiGaO2 substrates
Growth and characterization of high-quality LiAlO2 single crystal
Structural and optical properties of nearly stress-free m-plane ZnO film on (100) gamma-LiAlO2 with
Low temperature growth of c-axis oriented AlN films on gamma-LiAlO2 by radio frequency magnetron spu
Nonpolar a-plane ZnO films fabricated on (302)gamma-LiAlO2 by pulsed laser deposition
γ-LiAlO_2上非极性ZnO薄膜制备及其光谱性质研究
LiAlO_2衬底上ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备和表征
过渡金属离子（Mn,Fe,Co）掺杂铝酸锂晶体的生长及光谱分析
高质量LiGaO2晶体的提拉法生长及表征
Growth and characterization of high-quality LiAlO2 single crystal
Growth and characterization of high-quality LiAlO2 single crystal
阴极荧光联合分析系统在III族氮化物研究中的应用
Mg掺杂的AlGaN的MOCVD生长
GaN/Al_2O_3(0001)上Ge薄膜的CVD外延生长
生长参数对Si_(1-x)Ge_x∶C合金薄膜中元素分布的影响
Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布
应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响
高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度
MOCVD生长不同Al组分AlGaN薄膜
MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究
a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究
m面GaN平面内结构和光学各向异性研究
Chemical mechanical polishing of freestanding GaN substrates
Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究
采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算
4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响
4H-SiC欧姆接触与测试方法研究
薄膜材料研究中的XRD技术
一维AIN纳米结构制备进展
AlxGa1-xN／AlN超晶格材料特性研究
Nd,Ce共掺YAG透明陶瓷的制备及其光谱性能研究
厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响
Si1-yCy合金薄膜中替位式C组分随生长温度的变化
用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长
铝酸锂上非极性面氮化镓基LED材料生长与器件
期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编：100190
  • 邮箱：apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649026
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3290
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:49876