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由RTD／MOSFET构成的新型振荡电路
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN313.2[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]天津工业大学信息与通讯学院,天津300160, [2]天津大学电子信息工程学院,天津300072
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目（批准号：60536030）
作者： 王伟[1], 牛萍娟[1], 郭维廉[1,2], 于欣[1], 张世林[2]
关键词： RTD/MOSFET串联单元, 振荡器, ADS电路仿真, RTD/MOSFET element, oscillator, ADS circuit simulation
中文摘要：

基于一种新型的振荡机制，利用共振隧穿二极管（RTD）固有的负阻和双稳特性，与MOSFET器件相结合，首次实现了工作频率约为25MHz的RTD／MOSFET高频振荡电路．文章首先从理论上深人分析了该电路的振荡机理，然后通过高级设计系统（ADS）软件仿真和实验验证了此振荡电路的正确性．该电路的实现有望解决传统的基于RTD的振荡电路的功率限制问题，如果进一步用高电子迁移率晶体管（HEMT）等高频、高速器件取代MOSFET，可以在很大程度上提高这一电路的工作频率，并可实现RTD／HEMT的单片集成．因此该振荡电路在微波和射频领域具有广阔的应用前景。

英文摘要：

Based on a novel oscillating mechanism,a 25MHz high-frequency oscillating circuit is achieved by combining resonant tunneling diode （RTD） characterized by intrinsic negative differential resistance （NDR）and bi-stability with a MOS-FET. The mechanism of this oscillating circuit is analyzed theoretically,and the correctness of the circuit analysis is verified by advanced design system （ADS） simulation and experiment. The realization of this circuit can solve the problem of power limitation in conventional RTD-based oscillating circuits. If using a high-frequency,high-speed device such as a high electron mobility transistor （HEMT） in stead of a MOSFET, this circuit can improve its frequency greatly and is more suitable for monolithic integration. Thus it can find wide applications in radio-frequency and microwave fields.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754