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Vanadium-Doped Semi-Insulating 6H-SiC for Microwave Power Device Applications
  • ISSN号：1005-0302
  • 期刊名称：《材料科学技术学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O6[理学—化学]
  • 作者机构：[1]State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, [2]Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang 050051, China
  • 相关基金：This work was supported by the National Natural Science Foundation of China under grant No. 50472068 and No. 50721002, tile National ＂863＂ High Technology Research and Development Program of China under grant No. 2006AA03A145 and No. 2007AA03Z405, the National Basic Research Program of China under grant No. 2009CB930503, the Cultivation Fund of the Key Scientific and Technical hmovation Project, Ministry of Education of China under grant No. 707039.
作者： Liana Ning[1], Zhihong Feng[2], Yingmin Wang[1], Kai Zhang[1], Zhen Feng[2]
关键词： 碳化硅, 钒掺杂, 半绝缘, 微波能量, Silicon Carbide, Semi-insulating, Vanadium-doped, AlGaN/GaN HEMT
中文摘要：

Corresponding author. Prof., Ph.D.; E-mail address： xxu@sdu.edu.cn （X.G. Xu）.

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期刊信息
  • 《材料科学技术学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科协
  • 主办单位:中国金属学会
  • 主编：
  • 地址：中国沈阳文化路72号
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  • 国际标准刊号：ISSN：1005-0302
  • 国内统一刊号：ISSN：21-1315/TG
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