采用静电纺丝法制备出了高长径比的立方相In2O3纳米线。将In2O3纳米线置于NH3气流中进行原位氮化反应,合成得到了高质量的InN纳米线,转化率高达100%。通过调节氮化反应的温度及时间,系统研究了制备InN纳米线的最佳合成工艺参数。利用这种方法得到的氮化铟纳米线具有长径比高、直径分布单一、纯度高以及产量大的特点,为今后InN纳米器件的大规模制备和应用提供了一个有效的途径。