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Electronic structures and magnetism of Cr3Z (Z = Si, Ge, Sb) with DO3 structures
  • ISSN号：0927-0256
  • 期刊名称：Computational Materials Science
  • 时间：0
  • 页码：456-460
  • 相关项目：具有低磁矩的CuHg2Ti型高自旋极化材料研究
作者： X.M. Zhang a|W.H. Wang|G.H. Wu|X.F. Dai|H.Y. Jia|G.F. Chen|H.Y. Liu|H.Z. Luo|Y. Li|X. Yu|*G.D. Liu|
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