欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
The effect of injection damage on a silicon bipolar low-noise amplifier
ISSN号:0268-1242
期刊名称:Semiconductor Science and Technology
时间:0
页码:035003-1-035003-9
语言:英文
相关项目:半导体器件与电路的“响应型”损伤机理与实验研究
作者:
Chai, Changchun|Zhang, Bing|Rao, Wei|Leng, Peng|Yang, Yintang|Yang, Yang|
同期刊论文项目
半导体器件与电路的“响应型”损伤机理与实验研究
期刊论文 34
会议论文 7
专利 2
同项目期刊论文
Si基双极低噪声放大器的能量注入损伤与机理
一种基于CMOS工艺的新型结构ESD保护电路
Low-power variable frequency PFC converters
一种基于纳米级CMOS工艺的互连线串扰RLC解析模型
Influence of the external component on the damage of the bipolar transistor induced by the electroma
源、漏到栅距离对次亚微米ggNMOS ESD保护电路鲁棒性的影响
双极晶体管在强电磁脉冲作用下的损伤效应与机理
EMP injection damage effects of a bipolar transistor and its relationship between the injecting volt
考虑通孔效应和边缘传热效应的纳米级互连线温度分布模型
一种基于目标延迟约束缓冲器插入的互连优化模型
一种考虑温度的分布式互连线功耗模型
一种10位200kS/s 65nm CMOS SAR ADC IP核
PWM降压型DC/DC转换器的高层次模型
应变ZnO光学和电学特性的第一性原理计算
A high performance 90 nm CMOS SAR ADC with hybrid architecture
一种基于0.13μm CMOS工艺的10位SAR A/D转换器
一种PWM/伪PFM双模调制的降压型DC/DC开关电源
一种具有省电模式的CMOS反激式PWM控制器
基极注入强电磁脉冲对双极晶体管的损伤效应和机理
不同样式的高功率微波对双极晶体管的损伤效应和机理
双极晶体管微波损伤效应与机理
EMP injection damage effects of a bipolar transistor and its relationship between the injecting voltage and energy
Modeling and analysis of the HPM pulse-width upset effect on CMOS inverter
Temperature dependence of latch-up effects in CMOS inverter induced by high power microwave
Motion of current filaments in avalanching PIN diodes
Influence of the external component on the damage of the bipolar transistor induced by the electromagnetic pulse
硅基双极低噪声放大器的能量注入损伤与机理
A novel interconnect-optimal repeater insertion model with target delay constraint in 65 nm CMOS