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Top-gated graphene field-effect transistors on SiC substrates
  • ISSN号:1001-6538
  • 期刊名称:科学通报(英文版)
  • 时间:2012.7.7
  • 页码:2401-2403
  • 相关项目:互补型石墨烯场效应晶体管器件研究
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