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Effect of the Si-doped In0.49Ga0.51P barrier layer on the device performance of In0.4Ga0.6As MOSFETs
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：CHINESE PHYSICS B
  • 时间：2013.7
  • 页码：-
  • 相关项目：高迁移率III-V MOS器件复合栅介质界面调控机理的研究
作者： Chang Hu-Dong|Sun Bing|Xue Bai-Qing|Liu Gui-Ming|Zhao Wei|Wang Sheng-Kai|Liu Hong-Gang|
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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
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  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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  • 被引量:406