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薄膜厚度对Au/ZnO/n~+-Si薄膜压敏电阻器阈值电压的影响
  • ISSN号：1007-4252
  • 期刊名称：Journal of Functional Materials and Devices
  • 时间：2011
  • 页码：179-182
  • 相关项目：金属氧化物ReRAM的稳定性和可靠性研究
作者： 季振国|王玮丽|毛启楠|席俊华|
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金属氧化物ReRAM的稳定性和可靠性研究
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期刊信息
  • 《功能材料与器件学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国材料研究学会 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 主编：邹世昌
  • 地址：上海市长宁路865号
  • 邮编：200050
  • 邮箱：jfmd@mail.sim.ac.cn
  • 电话：021-62511070
  • 国际标准刊号：ISSN：1007-4252
  • 国内统一刊号：ISSN：31-1708/TB
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 美国Ei,美国CA，英国SA，俄罗斯PЖ的文献源期刊,中国科技论文统计源期刊、中国科学引文数据库来源期刊,中国学术期刊综合评价数据库来源期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）
  • 被引量:3051