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Synthesis and characterization of p-type boron-doped IIb diamond large single crystals＊
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.25[电子电信—物理电子学] O613.71[理学—无机化学;理学—化学]
  • 作者机构：[1]School of Materials Science and Engineering, Henan Polytechnic University, Jiaozuo 454000, China, [2]State Key Laboratory of Superhard Materials, Jilin University, Changehun 130012, China
  • 相关基金：＊Project supported by the Young Scientists Fund of the National Natural Science Foundation of China （Grant No. 51001042）, and the Doctor Foundation of the Henan Polytechnic University, China （Grant No. 2010-32）.
作者： Li Shang-Sheng[1], Ma Hong-An[2], Li Xiao-Lei[1], Su Tai-Chao[1], Huang Guo-Feng[2], Li Yong[2], Jia Xiao-Peng[1,2]
关键词： 掺硼金刚石, 金刚石单晶, 合成样品, 防爆, p型, 扫描电子显微镜, 表征, 晶体表面, boron-doped, type-IIb diamond, temperature gradient method, semiconductor
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： lishsh@hpu.edu.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406