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Effect of Same-Temperature GaN Cap Layer on the InGaN/GaN Multiquantum Well of Green Light-Emitting
  • ISSN号:1537-744X
  • 期刊名称:The Scientific World Journal
  • 时间:2013.11.11
  • 页码:538297-
  • 相关项目:应力对硅衬底GaN基LED器件光电性能影响的研究
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