位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
硅量子点的表面改性技术
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:《半导体技术》
  • 时间:0
  • 分类:TN304.12[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]浙江大学材料科学与工程学院,硅材料国家重点实验室,杭州310027
  • 相关基金:国家自然科学基金委员会优秀青年基金(61222404)
中文摘要:

硅量子点具有新颖的光电性能,有望在光电、光伏和生物标记等领域发挥重要作用。为了使硅量子点表现出优异而稳定的光电性能,能够有效地被应用,通常需要对硅量子点的表面进行改性。针对表面起初被氢或氯钝化的硅量子点,详细地介绍了最近国内外在硅量子点表面改性方面的研究进展,重点介绍了表面改性技术对硅量子点的分散和发光等性能的影响,分析讨论了最具代表性的表面改性技术——氢化硅烷化的机理以及其对硅量子点性能的影响,提出了今后发展硅量子点表面改性技术的方向和应该注意的问题。

英文摘要:

Silicon quantum dots exhibit electronic and optical properties, which may find applications in many fields such as optoelectronic, photovoltaics and bioimaging. Silicon quantum dots usually need surface modification to render excellent and stable optoelectronic properties and enable effective use. The surface modification techniques for silicon quantum dots that are originally passivated by hydrogen or chlorine is introduced. The progress about surface modification in domestic and overseas are also presented. The effect of the surface modification on the dispersity and optical properties of silicon quantum dots are introduced. Hydrosilylation is one of the most important modification techniques, the mechanism and influence of it are discussed in detail. The directions for the development of the silicon quantum dot surface modification are proposed. The challenges for further advancing the surface modification techniques of silicon quantum dots are also pointed out.

同期刊论文项目
期刊论文 23
同项目期刊论文
期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
  • 邮箱:informax@heinfo.net
  • 电话:0311-87091339
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070