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标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备
  • ISSN号：1005-0086
  • 期刊名称：《光电子．激光》
  • 时间：0
  • 分类：TN256[电子电信—物理电子学] TN305[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072, [2]天津工业大学信息与通信工程学院天津,300161, [3]中国科学院半导体研究所,北京100083
  • 相关基金：国家自然科学基金资助课题（60536030 60676038）; 天津市基础研究重点项目（06YFJZJC00200 08JCZDJC24100）
作者： 杨广华[1,2], 毛陆虹[1], 黄春红[2], 王伟[3], 郭维廉[1]
关键词： 硅, 发光器件, CMOS标准工艺, silicon, LED, standard CMOS technology
中文摘要：

采用新加坡半导体制备有限公司的0.35um EEPROM双栅标准CMOS工艺设计和制备了U型Si-LED发光器件。器件结构采用P＋-N＋-P＋-P＋-P＋-N＋-P＋-P＋-P＋-N＋-P＋叉指结构形成U型器件,外部的两个P＋区为保护环,在相邻的内部两个P＋区之间使用多晶硅作为栅极来调控LED的正偏发光。使用奥林巴斯IC显示镜测得了硅LED实际器件的显微图形,并对器件进行了电学的正反向I-V特性测量。器件在室温下正向偏置,在100～140mA电流下对器件进行了光功率的检测,发光峰值在1089nm处。结果表明,器件发光功率随着栅控电压偏置电流的增加而增加。

英文摘要：

A U type of Si-LED is designed and manufactured with the 0.35 μm EEPROM double grating standard CMOS technology.The device adopts a P＋-N＋-P＋-P＋-P＋-N＋-P＋-P＋-P＋-N＋-P＋ comb structure,in which the two outside P＋ is a protect ring,and a poly-Si gate between P＋ region is designed to adjust the forward bias emitting light.The devices are tested with the Olympus IC microscope,and the I-Vcharacteristics and the spectra of the devices are presented.At room temperature,the LEDs are forward biased.The light powers are tested at 100-140 mA current.The results show that the emitting peak is at 1 089 nm,and the light powers increase with the gate voltage and the bias current.

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期刊信息
  • 《光电子．激光》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:天津市教育委员会
  • 主办单位:天津理工大学 中国光学学会
  • 主编：巴恩旭
  • 地址：天津市西青区宾水西道391号
  • 邮编：300384
  • 邮箱：baenxu@263.net baenxu@aliyun.com
  • 电话：022-60214470
  • 国际标准刊号：ISSN：1005-0086
  • 国内统一刊号：ISSN：12-1182/O4
  • 邮发代号:6-123
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:16551