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Controllable crystallization of Ge2Sb2Te5 phase-change memory thin films driven by multiple femtosec
  • 期刊名称:Materials Science and Engineering: B
  • 时间:2015.1.1
  • 页码:189-197-
  • 相关项目:相变信息存储材料的快速相变机制和策略研究
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