引弧微爆炸技术是一项最新提出的适用于工程陶瓷材料的高能束流加工技术,在加工时,高温高压的等离子体射流从微爆炸发生器喷出,作用于材料表面,材料在烧蚀和冲蚀的综合作用下被去除,生成一个圆形蚀坑。本文对SiC陶瓷引弧微爆炸单脉冲加工进行了实验研究,讨论了工艺参数对加工效率的影响,并对加工过程中的温度场进行了仿真,分析了SiC陶瓷引弧微爆炸加工时的材料去除机理。结果表明,SiC陶瓷引弧微爆炸单脉冲加工后材料表面存在加工损伤层,工艺参数对加工效率影响显著,仿真得到的蚀坑尺寸与实验结果符合良好,SiC陶瓷主要依靠引弧微爆炸产生的高温等离子体射流引起的氧化和分解作用去除。研究为引弧微爆炸加工机理的揭示以及工艺参数的优选提供了理论依据。