欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Growth and properties of wide spectral white light emitting diodes
ISSN号:1674-1056
期刊名称:Chinese Physics B
时间:0
页码:116801-1-116801-4
相关项目:III族氮化物半导体微腔结构中激子极化激元和受激辐射研究
作者:
Xie Zi-Li|Shi Yi|Zheng You-Dou|Zhang Rong|Fu De-Yi|Liu Bin|Xiu Xiang-Qian|Hua Xue-Mei|Zhao Hong|Chen Peng|Han Ping|
同期刊论文项目
III族氮化物半导体微腔结构中激子极化激元和受激辐射研究
期刊论文 37
会议论文 2
专利 4
同项目期刊论文
InGaN/GaN薄膜的阴极荧光研究
红橙光InGaN/GaN量子阱的结构与光学性质研究
Surface morphology and composition studies in InGaN/GaN film grown by MOCVD
Biaxial and uniaxial strain effects on the ultraviolet emission efficiencies of Al(x)Ga(1-x)N films
The parameters in the band-anticrossing model for In (x) Ga(1-x) N (y) P(1-y) before and after annea
氢化物气相外延生长的GaN膜中的应力分析
Fe/GaN、Fe_3N/GaN的生长及其性能研究
Fabrication of blue and green non-polar InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes on LiA
Characteristics of GaN thin films by inductively coupled plasma etching with Cl-2/BCl3 and Cl-2/Ar
The temperature dependence of optical properties of InGaN alloys
The growth and properties of an m-plane InN epilayer on LiAlO2 (100) by metal-organic chemical vapor
利用X射线衍射研究Mg掺杂的InN的快速退火特性
GaN薄膜中的马赛克结构随厚度发生的变化
InN的光致发光特性研究
氢化物气相外延生长高质量GaN膜生长参数优化研究
紫外波段SiO2/Si3N4介质膜分布式布拉格反射镜的制备与研究
氢化物气相外延生长GaN膜性质研究
Microstructural properties of over-doped GaN-based diluted magnetic semiconductors grown by MOCVD
LPCVD法在GaN上生长Ge薄膜及其特性
AlGaN/GaN量子阱中子带的Rashba自旋劈裂和子带间自旋轨道耦合作用研究
利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱
宽带隙半导体材料光电性能的测试
深能级对白光LED的电致发光和I-V特性的影响
Effects of V/III ratio on the growth of a-plane GaN films
GaN hexagonal pyramids formed by a photo-assisted chemical etching method
期刊信息
《中国物理B:英文版》
中国科技核心期刊
主管单位:中国科学院
主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
主编:欧阳钟灿
地址:北京 中关村 中国科学院物理研究所内
邮编:100080
邮箱:
电话:010-82649026 82649519
国际标准刊号:ISSN:1674-1056
国内统一刊号:ISSN:11-5639/O4
邮发代号:
获奖情况:
国内外数据库收录:
被引量:406