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P掺杂单壁硅纳米管Mg原子吸附性能的第一性原理研究
  • ISSN号:1001-246X
  • 期刊名称:《计算物理》
  • 时间:0
  • 分类:O469[理学—凝聚态物理;理学—电子物理学;理学—物理]
  • 作者机构:沈阳工业大学建筑与土木工程学院,沈阳110870
  • 相关基金:国家自然科学基金(51371049); 辽宁省自然科学基金(20102173)资助项目
中文摘要:

采用密度泛函理论的广义梯度近似和平面波赝势方法,研究P掺杂单壁硅纳米管对Mg原子的吸附性能.计算本征、掺杂P、施加形变作用(压缩和拉伸)的(6,6)硅纳米管外壁对Mg原子的吸附能,分析掺杂P前后的成键情况及电荷布局数.结果表明,掺杂P使体系形成Mg-P和Si-P间的离子性键,增强了Si-Si间的离子性键,P掺杂硅纳米管超晶格中离子键与共价键共存;掺杂P后显著提高了硅纳米管外壁对Mg原子的吸附能力;硅纳米管外壁对Mg原子的吸附能在0.25%,0.50%,1.00%,1.25%的压缩量和1.00%,1.25%的拉伸量时增大,可显著增强硅纳米管材料作为增强相时与基体界面间结合的粘附性.

英文摘要:

Adsorption characteristics of magnesium atoms on phosphorus-doped single-walled silicon nanotubes ( SWSiNTs ) are studied using plane wave pseudopotential method with generalized gradient approximation based on density functional theory. Adsorption energies of magnesium atoms on pure, phosphorus-doped and deformation effects ( compressive or tensile ) ( 6, 6 ) SWSiNTs are calculated. Bond and Mulliken population of both pure and phosphorus-doped SWSiNTs are also analyzed. It shows that covalent bond and ionic bond conexist in armchair silicon nanotube superlattices doped with phosphorus atoms by forming ionic bond of Mg-P and Si-P,and enhancing ionic bond of Si-Si. Adsorption energy of Mg atom on SWSiNTs are improved significantly by doping phosphorus atoms. Adsorption energy are also increased under compressive deformation at 0.25%, 0.50%, 1.00%, 1.25% and tensile deformation at 1.00%,1.25%. It enhances adhesion of interface of silicon nanotubes as reinforce combined with matrix.

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期刊信息
  • 《计算物理》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国核学会
  • 主编:朱少平
  • 地址:北京海淀区丰豪东路2号北京应用物理与计算数学研究所
  • 邮编:100094
  • 邮箱:jswl@iapcm.ac.cn
  • 电话:010-59872547 59872545 59872547
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-246X
  • 国内统一刊号:ISSN:11-2011/O4
  • 邮发代号:2-477
  • 获奖情况:
  • 1992年获“全优期刊”奖,《CAJ-CD规范》执行优秀奖
  • 国内外数据库收录:
  • 荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:4426