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立方氮化硅的合成与提纯
  • 期刊名称:2007,35(1):31~34
  • 时间:0
  • 分类:O771[理学—晶体学]
  • 作者机构:[1]西南科技大学材料科学与工程学院,四川绵阳621010, [2]中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理实验室,四川绵阳621900
  • 相关基金:国家自然科学基金(50472102):西南科技大学引进人才基金(ZK043030):西南科技大学重点学科建设(ZK053003):中国工程物理研究院科学技术基金(20050864)资助项目.
  • 相关项目:立方氮化硅的合成及烧结研究
中文摘要:

设计和采用有炸药驱动平面飞片加载器和圆桶形样品回收室的装置,用非高纯的a-Si3N。粉体和铜粉作原料合成了c-Si3N4。在该装置中完整的回收到冲击波压缩的实验样品。当冲击压力与温度分别约为50GPa和2300K时,原料中约有85%的a-Si3N4转化为c-Si3N4。回收样品在440K左右经9~10h与氢氟酸反应处理后,c-Si3N4粉体的纯度接近100%。

英文摘要:

An apparatus consisting of a planar metal disc flyer driven by explosives and a cylindrical chamber was designed to synthesize cubic silicon nitride using the mixtures of impure a-Si3N4 and copper powders as starting materials. Shock-compressed samples were successfully recovered in the setup. About 85% of a-Si3N4 in the raw materials can be transformed into c-Si3N4 under the shock-compression conditions of about 50 GPa and 2300 K. Hydrofluoric acid was used to purify c-Si3N4 powders from the shocked samples. The purity of c-Si3N4 reached 100% after the recovered samples were treated with hydrofluoric acid at 440K for 9-10h.

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