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Strain Distributions in Non-Polar a-Plane InxGa1-xN Epitaxial Layers on r-Plane Sapphire Extracted f
  • ISSN号：0256-307X
  • 期刊名称：Chinese Physics Letters
  • 时间：2013.9.9
  • 页码：098102-098104
  • 相关项目：大尺寸GaN厚膜衬底材料自剥离制备研究
作者： Wang Zhan-Guo|Yang Shao-Yan|Liu Gui-Peng|Liu Chang-Bo|Sang Ling|Gu Cheng-Yan|Liu Xiang-Lin|Wei Hong-Yuan|Zhu Qin-Sheng|
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大尺寸GaN厚膜衬底材料自剥离制备研究
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期刊信息
  • 《中国物理快报：英文版》
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  • 国际标准刊号：ISSN：0256-307X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1959/O4
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  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双高”期刊
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