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40 nm CMOS工艺下的低功耗容软错误锁存器
  • ISSN号:1009-5896
  • 期刊名称:《电子与信息学报》
  • 时间:0
  • 分类:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构:[1]合肥工业大学电子科学与应用物理学院,合肥230009, [2]合肥工业大学计算机与信息学院,合肥230009
  • 相关基金:国家自然科学基金(61574052,61371025,61474036,61674048),安徽省自然科学基金(1608085MF149)
中文摘要:

为了降低集成电路的软错误率,该文基于时间冗余的方法提出一种低功耗容忍软错误锁存器。该锁存器不但可以过滤上游组合逻辑传播过来的SET脉冲,而且对SEU完全免疫。其输出节点不会因为高能粒子轰击而进入高阻态,所以该锁存器能够适用于门控时钟电路。SPICE仿真结果表明,与同类的加固锁存器相比,该文结构仅仅增加13.4%的平均延时,使得可以过滤的SET脉冲宽度平均增加了44.3%,并且功耗平均降低了48.5%,功耗延时积(PDP)平均降低了46.0%,晶体管数目平均减少了9.1%。

英文摘要:

To reduce the soft error rate of the circuit, this paper proposes a low power soft error tolerant latch based on time redundancy technology. The proposed latch can fully tolerate the Single Event Upset (SEU) when particles strike on internal nodes. Furthermore, it can efficiently mask the input Single Event Transient (SET). Its output node will not enter a high impedance state when a particle strikes on internal nodes, so the proposed latch can be applied to clock-gating circuits. Detailed SPICE simulations are done to evaluate the proposed latch circuit and previous latch circuits designed in the literatures. Compared with other soft error tolerant latches, the proposed latch introduces 13.4% delay overhead on average. While it can achieve 44.3% increase in filterable SET pulse width, 48.5% reduction in power, 46.0% reduction in Power Delay Product (PDP), and 9.1% reduction in transistor numbers on average.

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期刊信息
  • 《电子与信息学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院电子学研究所 国家自然科学基金委员会信息科学部
  • 主编:朱敏慧
  • 地址:北京市北四环西路19号
  • 邮编:100190
  • 邮箱:jeit@mail.ie.ac.cn
  • 电话:010-58887066
  • 国际标准刊号:ISSN:1009-5896
  • 国内统一刊号:ISSN:11-4494/TN
  • 邮发代号:2-179
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版)
  • 被引量:24739