中文摘要：

高电子迁移率晶体管（HEMT）的小信号等效电路低温模型是研制致冷低噪声放大器（LNA）与研究晶体管微波特性的基础。该文通过测量HEMT器件在低温环境下直流参数与散射参数（S参数）,构建了包含噪声参量的小信号等效电路,并据此设计了一款覆盖L波段的宽带低温低噪声放大器（LNA）,工作频率12GHz,相对带宽达到66.7%。在常温下放大器功率增益大于28d B,噪声温度小于39K;当环境温度制冷至11K时,噪声温度为1.93.1K,输入输出端口的回波损耗S11和S22均优于-10d B,1d B压缩点输出功率为9.2d Bm,功耗仅为54m W。