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掺C的MgB2块材在静态Ar气氛下成相的研究
  • 期刊名称:低温物理学报Vol.30(1),(2008)第8-13页。
  • 时间:0
  • 分类:TM26[电气工程—电工理论与新技术;一般工业技术—材料科学与工程] TQ534[化学工程—煤化学工程]
  • 作者机构:[1]北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京100871
  • 相关基金:国家自然科学基金(项目编号:50572001)、国家“973”计划(编号:2006CD601004)和“国家基础科学人才培养基金”(项目编号:J0630311)资助的课题.
  • 相关项目:物理化学气相沉积法生长MgB2厚膜的研究
中文摘要:

我们制备了掺碳二硼化镁系列样品MgB2-xCx(X=0、0.02、0.05、0.1、0.13、0.15、0.17),得到了X=0.02、0.05、0.13、0.15、0.17等样品在高温烧结过程的升温阶段的R-T曲线(简称为HT R-T曲线)。发现这些样品的成相温度比不掺碳的MgB2样品的成相温度要低一些,处于500℃附近。我们也对X=0.0、0.05、0.1、0.13、0.15、0.17这一系列样品的X光图谱,低温M-T曲线,R-T曲线进行了测量和讨论。

英文摘要:

A series of MgB2-xCx(X=0、0.02、0.05、0.1、0.13、0.15、0.17)have been prepared in static Ar atmosphere. The high temperature R-T curves of these MgB2-xCx samples with X=0.02、0.05、0.13、0.15、0.17 during they were heated in the temperature-rising process were obtained. The phase-formulation temperature of these carbon-doping samples (X=0.0、0.05、0.1、0.13、0.15、0.17) are slightly lower than MgB2 sample. The X-ray spectrum, M-T curve, R-T curve have also been measured and discussed.

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