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低剂量Ga＋辐照对CoFe/IrMn双层膜结构和磁性能的影响
  • ISSN号：1001-9731
  • 期刊名称：《功能材料》
  • 时间：0
  • 分类：O484.43[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]昆明理工大学冶金与能源工程学院,昆明650093, [2]昆明理工大学冶金节能减排教育部工程研究中心,昆明650093
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目（51206071）;云南省基金面上资助项目（2011FB037）;校人才培养基金资助项目（KKSY201252017）
作者： 祁先进[1,2], 祝星[1,2], 黄晓艳[1,2], 刘泛函[1,2]
关键词： 离子辐照, 交换偏置场, 界面粗糙度, 织构, 磁性能
中文摘要：

采用高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为//Ta（5nm）/Co75Fe25（5nm）/Ir20Mn80（12nm）/Ta（8nm）双层膜,通过X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和振动样品磁强计（VSM）等分析测试手段,研究了低剂量Ga＋ 离子辐照对双层膜结构和磁性能的影响;通过样品在反向饱和场下停留时间研究了低剂量Ga＋ 离子辐照对双层膜的磁稳定性的影响;并利用SRIM2003软件模拟分析了离子辐照后Ga元素在IrMn层中的深度分布.结果表明,低剂量Ga＋ 离子辐照对双层膜中反铁磁层IrMn的（111）方向织构影响甚微;而双层膜的交换偏置场以及界面粗糙度随着Ga＋ 离子辐照剂量的增大而减小;低剂量Ga＋ 离子辐照后双层膜磁稳定性降低.

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期刊信息
  • 《功能材料》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:重庆材料研究院
  • 主办单位:重庆材料研究院
  • 主编：黄伯云
  • 地址：重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
  • 邮编：400707
  • 邮箱：gnclwb@126.com
  • 电话：023-68264739
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-9731
  • 国内统一刊号：ISSN：50-1099/TH
  • 邮发代号:78-6
  • 获奖情况:
  • 2008、2011年连续获中国精品科技期刊,2010获重庆市双十佳期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:30166