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InN薄膜的氧化特性研究
  • ISSN号：1000-3290
  • 期刊名称：《物理学报》
  • 时间：0
  • 分类：TG139.8[金属学及工艺—合金;一般工业技术—材料科学与工程;金属学及工艺—金属学]
  • 作者机构：[1]南京大学物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,南京210093
  • 相关基金：国家重点基础研究发展规划（973）（批准号：2006CB6049）,国家自然科学基金（批准号;60390072,60476030,60421003,60676057）,教育部重大项目（批准号：10416）,高等学校博士学科点专项科研基金（批准号：20050284004）和江苏省自然科学基金（批准号：BK2005210,BK2006126）资助的课题.
作者： 谢自力[1], 张荣[1], 修向前[1], 刘斌[1], 朱顺明[1], 赵红[1], 濮林[1], 韩平[1], 江若琏[1], 施毅[1], 郑有炓[1]
关键词： InN, 氧化铟, 氧化, X射线衍射, InN, In203, oxidation, XRD
中文摘要：

研究了InN薄膜在不同氧气氛中的氧化特性．研究表明，在400℃以下，InN薄膜很难被氧化，而金属In程容易被氧化．因此富In的InN薄膜的氧化在400℃以下主要是金属In的氧化，在400℃以上为金属In和InN的同时被氧化．在400℃以上的氧化过程中，InN的表观氧化速率非常慢，这可能和InN的高温分解有关．InN的湿氧和干氧氧化结果说明湿氧氧化速率比干氧快．

英文摘要：

The characteristics of oxidation of InN film in different oxygen atmosphere have been investigated. At the temperature under 400 ℃, the oxidation of InN film is difficult, but the oxidation of metal In is very easy. Thus, the oxidation of In is the main process during oxidation of the In-rich InN film under the temperature less than 400 ℃. As the annealing temperature is higher than 400℃, metal In and InN are oxidated meanwhile. Although oxidation under the temperature high than 400℃, InN is apparently oxidated very slowly. This may be due to the decomposition of InN. The oxidation rate under the ambience of wet oxygen is larger than that under dry oxygen.

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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编：100190
  • 邮箱：apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649026
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3290
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:49876