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Modeling of a Schottky Diode in CMOS Process with a Flexible ＂Open-Through＂ On-Chip De-embedding Method
  • ISSN号：1003-353X
  • 期刊名称：《半导体技术》
  • 时间：0
  • 分类：TP391.41[自动化与计算机技术—计算机应用技术;自动化与计算机技术—计算机科学与技术] TN311.7[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China
  • 相关基金：Supported by the National High-Teeh Research and Development （863） Program of China （No. 2006AA04A109） and the National Natural Science Foundation of China （No. 60806008）
作者： SUN Xuguang ZHANG Chun GAO Lili LI Yongming WANG Zhihua[1]
关键词： 肖特基二极管, CMOS工艺, 嵌入方法, 工艺建模, 开放式, 精确模型, RFID, 泄漏电流, Schottky diode, modeling, de-embedding
中文摘要：

To whom correspondence should be addressed. E-mail： zhangchun@tsinghua.edu.cn; Tel： 86-10-62792912

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编：赵小玲
  • 地址：石家庄179信箱46分箱
  • 邮编：050051
  • 邮箱：informax@heinfo.net
  • 电话：0311-87091339
  • 国际标准刊号：ISSN：1003-353X
  • 国内统一刊号：ISSN：13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:6070