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Er离子注入GaN薄膜的阴极荧光机制研究
  • ISSN号：1000-985X
  • 期刊名称：人工晶体学报
  • 时间：2015.6.1
  • 页码：1569-1574
  • 分类：O484[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]苏州科技学院物理系,苏州215009, [2]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215123
  • 相关基金：国家自然科学基金（61306004,51002179,11247023,51272270）; 江苏省自然科学基金（BK20130263）; 中国科学院功能开发项目（yg2012093）; 江苏高校优势学科建设工程资助项目; 苏州科技学院氧化物薄膜材料与光学信息协同创新中心项目; 苏州纳米科技协同创新中心项目
  • 相关项目：钙钛矿结构4d过渡金属锝氧化物的表面/界面性质的理论研究
作者： 莫亚娟，王晓丹， 曾雄辉，高崴崴，王建峰，徐科|
关键词： GAN薄膜, 离子注入, 阴极荧光谱, GaN thin film, ion implantation, cathode fluorescence
中文摘要：

采用离子注入方法制备了一系列不同Er离子剂量的GaN薄膜,并在不同温度、不同气氛下进行了退火处理。深入研究了退火温度和退火气氛对阴极荧光谱的影响机制和阴极荧光中的发光猝灭现象,获得了优化的退火条件。结果表明,当Er离子注入剂量达到1×1015cm-2时,Er离子的发光强度最高;当Er离子注入剂量达到5×1015cm-2时,出现发光猝灭现象。

英文摘要：

Different content of Er ions implanted GaN were prepared and annealed at different temperature and atmosphere. The effect mechanism of annealing temperature and atmosphere were investigated. The results show that as the Er ions dose was 1 × 1015cm- 2,the luminescence intensity is the strongest.When the Er ions dose is 5 × 1015cm- 2,the luminescence quenching could be observed.

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期刊信息
  • 《人工晶体学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国建材工业协会
  • 主办单位:中国硅酸盐学会 晶体生长与材料专业委员会 中材人工晶体研究院
  • 主编：余明清
  • 地址：北京市733信箱
  • 邮编：100018
  • 邮箱：
  • 电话：010-65492963 65492968 65493320
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-985X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-2637/O7
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 1997年获国家科技优秀期刊,获部级优秀科技期刊奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:9943