位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
In_2O_3纳米线制备及其特性
  • ISSN号：0253-4177
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：0
  • 页码：1259-1261
  • 语言：中文
  • 相关项目：新型快速响应RCE紫外探测器的基础研究
作者： 修向前|张荣|江若琏|朱顺明|施毅|郑有炓|刘斌|韩平|谢自力|李亮|高超|顾书林|
同期刊论文项目
新型快速响应RCE紫外探测器的基础研究
期刊论文 60 会议论文 15 专利 2
同项目期刊论文
材料结构对AlGaN基分布布拉格反射镜特性的影响
Structure and Opticals of AlxGa1-xN/AlN Superlattice
一维AlN纳米结构制备进展
AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外探测器
Silicon doping dependence of n-type Al0.5Ga0.5N layers grown by metalorganic chemical vapor depositi
MOCVD 制备 AlGaN 基多波段布拉格反射镜
MOCVD Growth and characterization og AlxGa1-xN films
Growth and Characterization of InN Thin Films on Sapphire by MOCVD
阴极荧光联合分析系统在III族氮化物研究中的应用
Effect of annealing on thermal expansion behavior of free sranging GaN
M 面非极性 GaN 材料 MOCVD 生长和特性研究
MOCVD 生长不同 Al 组分 AlGaN 薄膜
Influence of different surface-passivation dielectrics on high-temperature strain relaxation of AlGa
High-reflectivity AlGaN/AlN distributed Bragg reflector in ultraviolet region
MOCVD growth and characteristics of high quality AlGaN used in the DBR structure of ultraviolet dete
Mg掺杂的AlGaN的MOCVD生长
InN薄膜的氧化特性研究
GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长参数的变化
高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度
GaN MOCVD生长机制的量子化学计算
MOCVD生长不同Al组分AlGaN薄膜
MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究
a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究
MOCVD生长的InN薄膜中In分凝现象
生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响
利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究
m面GaN平面内结构和光学各向异性研究
用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究
Chemical mechanical polishing of freestanding GaN substrates
m面非极性GaN材料MOCVD生长和特性
MOCVD制备AlGaN基多波段布拉格反射镜
Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究
采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算
4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响
4H-SiC欧姆接触与测试方法研究
PECVD法氮化硅薄膜生长工艺的研究
薄膜材料研究中的XRD技术
MOCVD生长的全组分InGaN材料
一维AIN纳米结构制备进展
阳极多孔氧化铝的斜孔形成过程及机理
AlxGa1-xN／AlN超晶格材料特性研究