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4H-SiC功率UMOSFETs制备与表征
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：Chinese Physics B
  • 时间：2013.2.15
  • 页码：027302-
  • 相关项目：HfAlO/4H-SiC MOSFETs功率器件研究
作者： 张玉明|
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HfAlO/4H-SiC MOSFETs功率器件研究
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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
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  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
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