位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
蓝宝石衬底上单晶 InN 薄膜的 MOCVD 生长
  • ISSN号：0253-4177
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：0
  • 页码：208-210
  • 语言：中文
  • 相关项目：高铟组分InGaN/InGaN P-N结制备及相关物理问题研究
作者： 肖红领|
同期刊论文项目
高铟组分InGaN/InGaN P-N结制备及相关物理问题研究
期刊论文 21 会议论文 1 专利 3
同项目期刊论文
Simulation and research of percolation phenomenon in T-ZnOw resin matrix composite
AlGaN/GaN型气敏传感器对于CO的响应研究
Theoretical design and performance of InxGa1-xN two-junction solar cells
Growth temperature dependences of InN films grown by MOCVD
Photovoltaic effects in InGaN structures with p-n junctions
Simulation of In0.65Ga0.35N single-junction solar cell
MOCVD生长GaN的数值模拟和喷淋式反应室结构优化
AlGaN/GaN异质结气体传感器对低体积分数CO的响应研究
过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较
SiC衬底GaN基HEMT结构材料与器件
AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征
T-ZnOw的制备及其吸波特性研究进展
生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响
采用AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长GaN的形貌
蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长
双能态Cr+注入法制备GaCrN铁磁性薄膜
Al组分阶变势垒层AlGaN/AlN/GaN HEMTs的制备及性能
SiC衬底上高性能AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制
高阻GaN薄膜电阻率测量
T-ZnOw高分子复合材料逾渗行为的模拟与研究