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MOCVD制备过掺杂GaN基稀磁半导体微结构研究
  • ISSN号：0253-4177
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：2012
  • 页码：0730021-0730024
  • 相关项目：Fe3N/GaN纳米复合颗粒微结构及磁性研究
作者： 张荣|修向前|崔旭高|李丽|李鑫|谢自力|郑有炓|郑荣坤|Simo P Ringer|
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