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（Bi，Yb）4Ti3O12薄膜退火研究
  • ISSN号：1003-353X
  • 期刊名称：《半导体技术》
  • 时间：0
  • 分类：TN305[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]湘潭大学材料与光电物理学院低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湖南湘潭411105
  • 相关基金：湖南省科技厅重点项目（05FJ2005）;湖南省教育厅研究基金（05C095）;湖南省自然科学基金（05JJ30208）;国家自然科学基金资助项目（10472099）
作者： 成传品[1], 唐明华[1], 叶志[1], 周益春[1], 郑学军[1]
关键词： 溶胶-凝胶, BYT铁电薄膜, 退火温度, 铁电性, Sol-Gel, BYT ferroelectric thin films, annealing temperature, ferroelectricity
中文摘要：

采用溶胶-凝胶旋涂法在Pt（111）／Ti／SiO2／Si（100）基底上成功地沉积出（Bi，Vb）4Ti3O12[Bi3．4Yb0．6Ti3O12，BYT]铁电薄膜。系统地研究了退火温度对BYT铁电薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能（剩余极化强度）的影响。揭示了退火温度对BYT薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能有着明显的影响，给出了最佳退火温度为700℃左右。

英文摘要：

（Bi, Yb）4Ti3O12 （BYT） ferroelectric thin films were deposited on Pt （111） /Ti/SiO2/Si （100） substrates by Sol-Gel method and the effect of annealing temperature on their microstructure and ferroelectric properties were studied. It indicated that the annealing temperature had important effect on crystal structure, surface morphology and ferroelectric properties of BYT films, it reveals the optimal annealing temperature is about 700 ℃.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编：赵小玲
  • 地址：石家庄179信箱46分箱
  • 邮编：050051
  • 邮箱：informax@heinfo.net
  • 电话：0311-87091339
  • 国际标准刊号：ISSN：1003-353X
  • 国内统一刊号：ISSN：13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:6070