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Origin of the metallic to insulating transition of an epitaxial Bi（111） film grown on Si（111）
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN364.2[电子电信—物理电子学] TN304.12[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos. 10874217 and 10427402） and the National Basic Research Program of China （973 Program） （Grant No. 2006CB933000）. Acknowledgement We thank Prof. Z. Fang, Y. Q. Li and Dr. Z. Z Wang for their invaluable discussions and Dr. H. F Yang for the help in microfabrication.
作者： 庞斐[1], 梁学锦[1], 廖昭亮[1], 尹树力[1], 陈东敏[1]
关键词： SI(111), 硅薄膜, 半金属, 绝缘膜, 转变温度, 量子尺寸效应, 薄膜厚度, 界面行为, bismuth film, interface states, Rashba spin-splitting, semimetal-to-semiconductor transition
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： xjliang@aphy.iphy.ac.cn E-mail： dmchen@aphy.iphy.ac.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
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  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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