欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Effects of chlorine residue in atomic layer deposition hafnium oxide: A density-functional-theory st
时间:0
相关项目:集成电路的基础材料研究
同期刊论文项目
集成电路的基础材料研究
期刊论文 12
会议论文 1
同项目期刊论文
Effective passivation of slow interface states at the interface of single crystalline Gd2O3 and Si(1
Effect of chlorine residue on electrical performance of atomic layer deposited hafnium silicate
Quantum chemical study of the initial surface reactions of atomic layer deposition GaAs for photonic
Improvement of Atomic- Layer- Deposited Al2O3/GaAs Interface Property by Sulfuration and NH3 Thermal
N2和NH3退火对原子层淀积铪铝氧栅介质C-V 特性的影响
Initial Reaction Mechanism of Atomic Layer Deposition Nitrogen-doped Zinc Oxide
高介电常数HfO2栅介质的制备及性能
N2和NH3退火对铪铝氧栅介质C-V特性的影响