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应变硅结构的高分辨 X 射线衍射术及其图谱分析
  • ISSN号：0253-4177
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：0
  • 页码：179-182
  • 语言：中文
  • 相关项目：SOI衬底上SiGe异质结构的应变弛豫机制
作者： 马通达|
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