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Ultraviolet electroluminescence properties of the p-NiO/n-GaN-based heterojunction diodes
  • ISSN号:0268-1242
  • 期刊名称:Semiconductor Science and Technology
  • 时间:2011.12.12
  • 页码:-
  • 相关项目:基于n-GaN衬底和ZnO/ZnMgO多量子阱的MIS结构二极管的紫外发光及发热特性研究
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