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Novel Bulk Silicon Lateral Double-Diffused Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transi
  • ISSN号：0021-4922
  • 期刊名称：Japanese Journal of Applied Physics
  • 时间：0
  • 页码：-
  • 相关项目：SOI功率器件横向变厚度耐压新技术的机理、工艺和模型研究
作者： Shi Huang|Yufeng Guo|Jiafei Yao|Tingting Hua|
同期刊论文项目
SOI功率器件横向变厚度耐压新技术的机理、工艺和模型研究
期刊论文 49 会议论文 25 专利 18
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