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高性能硅基MOS电光相位调制器
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN36[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083
  • 相关基金：国家自然科学基金（批准号：60536030,60502005）和国家高技术研究发展计划（批准号：2005AA311030）资助项目
作者： 黄北举[1], 陈弘达[1], 刘金彬[1], 顾明[1], 刘海军[1]
关键词： 载流子积累, 等离子色散效应, 电光相位调制器, 金属-氧化物-半导体, 光电子集成回路, carrier accumulation, plasma dispersion effect, electro-optic phase modulator, metal-oxide-semiconductor, optoelectronic integrated circuit
中文摘要：

提出了一种SOI新型MOS电容型电光调制器．与普通单一电容型MOS调制器相比，由三层栅氧化层形成的新型MOS电容型调制器提高了调制效率．模拟显示，调制电压和调制长度乘积为VπLπ=2．4V·cm，上升和下降时间分别为80和40ps，带宽达到了8GHz．通过减小器件尺寸能进一步提高调制效率和调制速度．

英文摘要：

We propose and analyze a novel Si-based electro-optic modulator with an improved metal-oxide-semiconductor （MOS） capacitor configuration integrated into silicon-on-insulator （SOl）. Three gate-oxide layers embedded in the silicon waveguide constitute a triple MOS capacitor structure, which boosts the modulation efficiency compared with a single MOS capacitor. The simulation results demonstrate that the Vπ Lπ product is 2. 4V · cm. The rise time and fall time of the proposed device are calculated to be 80 and 40ps from the transient response curve, respectively,indicating a bandwidth of 8GHz. The phase shift efficiency and bandwidth can be enhanced by rib width scaling.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754