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Characteristics of GaN thin films by inductively coupled plasma etching with Cl-2/BCl3 and Cl-2/Ar
  • ISSN号：0957-4522
  • 期刊名称：Journal of Materials Science: Materials in Electro
  • 时间：0
  • 页码：1224-1228
  • 相关项目：III族氮化物半导体微腔结构中激子极化激元和受激辐射研究
作者： Yang, G. F.|Han, P.|Shi, Y.|Zhang, R.|Zheng, Y. D.|Chen, P.|Wu, Z. L.|Yu, Z. G.|Zhao, H.|Liu, B.|Hua, X. M.|Xie, Z. L.|Xiu, X. Q.|
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